寧夏2020年第三代寬禁帶半導體產業發展在線技術論壇

2020年第三代寬禁帶半導體產業發展在線技術論壇

5月20日下午14:00 ---16:00

主辦：

中國電子信息博覽會（CITE2020）

協辦：

上海市集成電路行業協會

《中國電子商情》雜志社

演講題目：“Faster, Cooler, Tougher”——第三代半導體的機遇和挑戰

演講嘉賓：上海瞻芯電子科技有限公司創始人兼總經理，張永熙博士

演講摘要

以GaN和SiC為代表的寬禁帶（暨第三代）半導體材料開始在射頻和功率領域挑戰Si材料的統治地位；“更快、更酷、更強悍”已經成為第三代半導體器件走向市場所展現出的獨特優勢，本次講座將從材料、工藝、器件、應用幾個方面，著重介紹GaN和SiC在功率半導體領域所存在的挑戰和機遇。

張永熙博士于2017年7月創辦了上海瞻芯電子科技有限公司，專注于碳化硅功率器件芯片和驅動芯片的產業化。張博士2000年從復旦大學碩士畢業后，加入上海貝嶺，歷任工藝工程師、注入工程部經理和4英寸產線的廠長。而后，從2003年到2008年于新澤西州立大學（Rutgers University）獲得博士學位，研發了世界上第一款碳化硅功率集成電路。2008年到2017年就職于美國德州儀器（TI）模擬技術研發部，擔任功率器件和工藝集成工程師，于2016年年底入選高級主任工程師Senior Member Technical Staff（SMTS，占工程師總數比例6%）。專長LDMOS和VDMOS等核心功率器件設計和工藝集成，先后量產了多代BCD工藝技術。發表論文18篇，獲得美國發明專利16項、中國發明專利4項。

演講題目：安森美半導體SiC方案應用于太陽能逆變器電源及電動汽車充電樁等

演講嘉賓：安森美半導體標準產品部工程師 袁光明

演講摘要

現代可再生能源、電動/混動汽車、服務器和工業電源等高要求的應用提出了具挑戰性的高能效和功率密度目標，碳化硅(SiC) 方案提供超越硅方案的性能優勢，安森美半導體提供獨一無二的SiC生態系統，包括SiC二極管、SiC MOSFET、SiC驅動器及集成模塊，乃至廣泛的資源和工具，簡化和加速設計流程，如SPICE模型，幫助設計人員在仿真中實現其應用性能而無需昂貴的測量周期。本次研討會將介紹安森美半導體的SiC 生態系統及顛覆性的SPICE建模，以及SiC用于太陽能及可再生能源、電動/混動汽車充電樁、服務器和工業應用的方案。

袁光明(Jerry Yuan)先生是安森美半導體標準產品部的工程師，畢業于華南理工大學并獲得碩士學位。袁先生畢業后一直在半導體行業工作，擁有超過13年成功的產品開發及技術支持經驗。